中共传出突破技术门槛，打造出极紫外光（EUV）微影设备原型机，被视为中国版“曼哈顿计划”，引发半导体业关注。不过，业界专家认为，这仅是追赶技术的第一步，是否能量产仍待观察，对产业短期影响有限，无须过度紧张。ASML、台积电等领先者仍将持续拉开差距。
仅突破EUV光源，非完整机台
专家指出，目前中共的突破仅限于能产生EUV光源，而非完整的EUV微影设备。其技术路径与ASML相同，透过激光击发锡滴产生EUV波长光源，这是先进制程的关键，但只是复杂系统中的一环。
相较ASML历经18年才实现量产，中共即便透过挖角、逆向工程与举国资源打造原型机，也仅是“第一步”。短期内对产业影响有限，但仍值得持续关注。长期来看，若进展顺利，研发时程可能需6至10年，才有机会进入生产阶段。
属追赶型发展，非颠覆式创新
专家强调，真正威胁来自颠覆式创新，中共目前仍处于沿既有技术路径追赶的阶段，并非“弯道超车”。在此情况下，欧美与台湾业者可持续创新，维持技术优势。中共体制偏好将资源投入已见成效的追赶型技术，也反映其原创性不足。
专家并指出，AI将重塑半导体格局。尽管中共在EUV光源上取得进展，但距离可商用的完整EUV机台仍有明显差距。未来6至10年，自由世界科技仍将快速前进，ASML、台积电等领先者会持续创新、保持领先。
中芯7纳米仍靠DUV
外媒披露，中共在高度戒备实验室测试EUV原型机，由曾任职ASML的工程师团队仿制打造。由于ASML受限无法对中出售EUV设备，中共目前仍只能依赖DUV与多重曝光方式生产5或7纳米芯片。
中共国EUV曼哈顿计划，台美专家踢爆真相。（路透）
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原文链接：中共国EUV曼哈顿计划 专家爆料：仅有光源(图)，来源：阿波罗网时方报导
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